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摘要

价格端，存储器价格已跌破历史最低位置（当前DRAM价格距离最高点下跌超60%，部分料号现货价与合约价已经出现倒挂），价格潜在下跌空间较小。供给端，原厂库存开始减少，模组厂商库存逐渐见底，主动去库存效果明显。需求端，服务器新世代CPU的推出和AI需求增加，将提升DDR5、HBM等高性能产品及高密度模组的需求。我们认为存储价格有望逐渐接近下行周期底部，并看好2023年二三季度存储板块迎来止跌。

根据ICInsights的数据，2021年DRAM在整个存储市场的市场份额约为56%，Flash闪存的市场份额约为43%，其中NAND闪存为41%，NOR闪存为2%，其他存储芯片（EEPROM、EPROM、ROM、SRAM）将会缓慢成长，但大幅抢占市场的可能性较小。

2024年NAND市场规模有望达684亿美元，随着NAND原厂陆续缩减资本开支，NAND产能正在逐渐收敛，库存去化正在进行。我们看好原厂和渠道的库存水位或在23年Q2或Q3见顶，NAND价格出现弹性，2024年NAND市场有望实现复苏。目前NAND行业形成了三星、海力士、Solidigm、美光、铠侠、WDC六家公司同台竞争的格局，2022Q3的CR3达65%，CR6接近95%，随着WDC与铠侠的合并谈判急速，我们预计未来行业集中度将进一步提高。美光、三星和海力士都有望在23年将产能转进200层以上，Solidigm以及铠侠/WDC将落后一世代的制程。3DNAND解决了2D结构下“闪存缩放限制”的问题，大容量、高堆叠层数的3DNAND将是行业未来发展趋势。

2023年全球DRAM市场规模有望达596亿，DRAM厂商产能增加幅度收敛，DRAM厂商扩产计划有所延后。数十年的大浪淘沙后，2022Q3DRAM市场CR3超过95%，三星、海力士和美光分别占比41%、29%和26%。DRAM可分为主流DRAM和利基型DRAM，随着国外大厂逐渐推出利基市场（三星21Q4停产DDR2，预计23年停产DDR3；海力士也计划停产DDR3），国内厂商将迎来份额提升的机会。EUV和3DDRAM或成未来趋势，从三大厂商的工艺制程上看，美光在制程上领先，三星在EUV的使用上领先。

2028年NORFlash市场规模有望达61亿美元，21-28年CAGR达14.4%，NORFlash十年低迷期已过，新应用的普及打开向上成长曲线。NORFlash凭借接口简单、轻薄、低功耗、系统总体成本更低、读取速度快等特点成为5G、TWS蓝牙耳机、AMOLED、IOT以及自动驾驶汽车等新应用的首选，NORFlash和NANDFlash性能和定位不同，二者可互补而不可替代。NORFlash市场经历数次洗牌，海外厂商逐渐撤退，中国台湾和中国大陆厂商趁势而起，2021年NORFlash市场份额主要被华邦、旺宏和兆易创新所占据，市占率分别为35%、33%和23%。

我们测算得2026年HBM市场规模有望达56.9亿，2022-2026年CAGR有望达52%。“3D堆叠+近存储运算”突破内存容量与带宽瓶颈，HBM成为处理大量数据和复杂处理要求的理想解决方案。根据TrendForce的数据，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士约50%、三星约40%、美光约10%，随着海力士在HBM3产品上的持续领先，预计海力士市占率将继续走高。

重点推荐：江波龙、兆易创新、澜起科技、东芯股份、普冉股份。

海外市场陷入经济衰退；存储产品库存持续增长；存储价格持续下跌；美国加大对华半导体领域制裁。

（来源：国金证券）

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